长江存储加速扩产，目标2026年占全球市场15%份额

【鹿光网】据《DigiTimes》报道，尽管受到美国商务部自2022年底列入实体清单的限制，禁止其获取先进制造设备，中国领先的NAND存储器生产商长江存储科技有限公司（YMTC）仍计划在今年扩大生产能力，目标到2026年底占据全球NAND存储器生产15%的市场份额。此外，长江存储还计划建设一条完全使用国产设备的试验生产线，以减少对外国半导体制造设备的依赖。

据报道，长江存储预计到2024年底实现每月13万片晶圆的产能，约占全球NAND供应量的8%。尽管受限于从ASML、应用材料、KLA和LAM Research等领先设备商采购先进制造工具的能力，长江存储仍计划将产能提升至每月15万片晶圆。今年早些时候，公司已开始量产其X4-9070 3D TLC NAND存储器，该产品采用232个有效层，总计294个堆叠层，通过将150层和144层结构键合实现。

增加的层数和产能有效提升了长江存储的NAND存储器位输出。然而，其能否通过这一策略在2026年底前将市场份额翻倍至15%，仍需拭目以待。与其他全球NAND供应商因需求疲软和价格压力而削减生产和投资不同，长江存储逆势扩张。预计2025年行业位增长率约为10%至15%，但长江存储的位增长预计将更为激进。

除了其旗舰产品1TB 3D TLC X4-9070（接口速度3600 MT/s），长江存储计划于今年晚些时候推出3D QLC X4-6080存储器，预计仍将采用294层生产技术。2026年，公司将推出2TB 3D TLC X5-9080以及接口速度达4800 MT/s的3D QLC X5-6080存储器。这些2TB NAND产品将使长江存储能够生产高容量、高性能的固态硬盘（SSD），但其能否生产足够数量的此类芯片尚存疑问。

受2022年底美国出口管制的影响，美国公司不得向中国实体销售可用于制造超过128层3D NAND存储器的设备。然而，美国无法禁止长江存储使用堆叠技术（string stacking）继续扩展其3D NAND生产。长江存储计划于2025年下半年启动一条完全使用国产设备的试验生产线，这一举措标志着中国在减少对外国半导体生产设备依赖方面迈出重要一步。

尽管如此，100%本地化设备的目标对当前中国芯片制造商而言仍具挑战性。据摩根士丹利估计，长江存储的设备国产化率已达45%，远超国内其他主要晶圆厂及全国平均水平。然而，这一比例距离100%仍有较大差距。长江存储的国内供应商包括中微半导体（刻蚀设备、化学气相沉积设备）、北方华创（刻蚀设备、CVD设备）和芯源微（原子层沉积设备、CVD设备）。虽然中国企业在刻蚀和沉积设备领域具有世界级水平，但尚不清楚长江存储能否从国内供应商获取所需的先进光刻设备。目前，中国最好的光刻机由上海微电子装备（SMEE）生产，其SSX600设备可用于90纳米工艺的逻辑芯片制造。

分析师预计，2025年长江存储将满足中国约30%的NAND存储器需求，但其产量仍无法完全满足国内需求。即将推出的国产设备试验生产线有望缓解产量限制，但由于国产设备相较于美、日、欧设备普遍存在较低的良率，产量稳定性仍是主要关切。

若试验生产线表现良好，长江存储可能将其扩展为量产线，从而大幅提升位输出。然而，扩展生产需要大量时间，因此其到2026年底占据15%全球NAND市场的目标仍显乐观。若其产能超过每月20万片晶圆，可能会对全球NAND市场价格趋势产生影响。

长江存储在半导体设备国产化方面处于领先地位，其45%的国产化率远超其他中国芯片制造商。例如，中国最大代工厂中芯国际在其京诚和临港晶圆厂的设备国产化率分别为22%和18%。华虹（第九厂）和DRAM制造商合肥长鑫的国产化率均为20%，显示出在成熟节点制造中逐步整合国产设备的趋势。

长江存储的投资部门长江资本通过非上市或间接实体悄悄资助了多家本地设备和材料供应商，以支持其生产网络并规避美国当局的关注。据悉，供应商还被要求从设备上移除品牌标识。尽管中国芯片制造商在设备国产化方面取得进展，但国产化率普遍集中在15%至27%之间，凸显出完全替代外国晶圆厂设备的复杂性。

长江存储的国产化战略与其在中美技术竞争背景下的自给自足目标高度契合。然而，100%设备本地化的目标短期内仍难以实现，其未来发展仍需平衡技术挑战与市场竞争压力。